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    电子扫瞄自准直仪量测 以电子扫瞄自准直仪拍摄特征断面特征,必须将试片折断,对于模仁就不适合采用此破坏式的检验。 研究针对矽蚀刻电铸起始板、射出成形的LGP与热压成形LGP的断面拍摄 当试片断面与特征垂直时可获得正确宽度、特征深度与斜面角度。 矽蚀刻V沟阵列,由于晶格结构与非等向蚀刻的关系,呈现精准的V沟结构。翻铸的镍模仁只作正面的电子扫瞄自准直仪拍 摄,虽未能得到断面尺寸, 但由电子扫瞄自准直仪观察其电铸转写情形非常良好。之后将此模仁应用于射出成形LGP, 经模仁转印之后的导光板凹槽应会和矽蚀形状相同,但由于射出成形制程尚未进行参数调教, 因此有明显特征顶部成形不足与收缩的问题,顶部与斜边相接的稜线呈现圆角的状况 但V沟底部由于成形时,塑流由底部往上充填,因此在下凹的特征部分转写情况良好。 另外以模仁热压的方式成形导光板,电子扫瞄自准直仪,显示良好的转写情,与一开始矽蚀刻电铸起始板的结果非常相似。 透过电子扫瞄自准直仪影像画素比对量测软体,可得到V沟特征的高与底部斜角


     
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